Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert
Infineon Technologies AG: München (ots) - - Innovationssprung in der Hochvolt-Transistor-Technologie: Infineon Entwickler-Team bringt weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) in der 3300-V-Spannungsklasse zur Serienreife - Neue ...
Infineon Technologies AG [Newsroom]
München (ots) - - Innovationssprung in der Hochvolt-Transistor-Technologie: Infineon Entwickler-Team bringt weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) in der 3300-V-Spannungsklasse zur Serienreife - Neue ... Lesen Sie hier weiter...
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