Infineon: Entscheidende Fortschritte!
Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erfreuen sich in Hochleistungsanwendungen einer immer größeren Nachfrage. Sie können Strom effizienter schalten, weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs.
Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erfreuen sich in Hochleistungsanwendungen einer immer größeren Nachfrage. Sie können Strom effizienter schalten, weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs.
